5G電源
如今的許多應用環境,如計算和存儲、通信交換機和路由器以及無線通信,越來越依賴于數據處理,為了滿足5G通信下龐大的數據體系,進一步推動了5G通信設備中功率電路的發展應用。整個電源系統必須具有高能效和高密度,以提供所需的高水平電源性能。
新潔能推出的Super-Junction MOSFET Gen.3&Split Gate Trench MOSFET 系列產品在保持合理的功耗下將高能效發揮到極致,全面提升了器件的開關特性和導通特性。在優化供電的所有關鍵方面,通過功能性升級與工藝技術優化來降低總體成本。
目前,新潔能已推出第二代Split Gate Trench MOSFET,相比于第一代產品,第二代產品特征導通電阻降低20%以上,ESD能力、大電流關斷能力、短路能力提升20%以上,具有更低的柵極電阻,可以滿足客戶更高能效更高可靠性的需求,產品的性價比進一步提升。
PFC:
Super-Junction Gen.3 MOS & Super-Junction Gen.3 TF MOS & Super-Junction Gen.4 MOS & Super-Junction Gen.4 NF MOS:VDS=650V-700V Ron@10V(max)=140mΩ-360mΩ
Fly back:
Super-Junction Gen.3 MOS & Super-Junction Gen.3 TF MOS & Super-Junction Gen.4 MOS & Super-Junction Gen.4 NF MOS:VDS=650V-700V Ron@10V(max)=140mΩ-360mΩ
同步整流:
N-channel SGT Gen.2 MOS & N-channel SGT Gen.1 MOS:VDS=100V-150V Ron@10V(max)<10mΩ